低阻(zu)型四探(tan)針檢(jian)測(ce)儀/方阻(zu)儀(yi)/四探(tan)針電(dian)阻(zu)率檢(jian)測(ce)儀

低阻(zu)型四探(tan)針檢(jian)測(ce)儀/方阻(zu)儀(yi)/四探(tan)針電(dian)阻(zu)率檢(jian)測(ce)儀  型號;DP-KDY-1

儀器(qi)采(cai)用(yong)GB/T 1552-1995矽、鍺單晶電(dian)阻(zu)率測(ce)定直排四探(tan)針法(fa)
（2）範圍：電阻(zu)率10-5～10+3歐(ou)姆·厘米，分(fen)辨率為(wei)10-5歐(ou)姆·厘米
方塊(kuai)電阻(zu)10-4～10+4歐(ou)姆/□，zui小(xiao)分(fen)辨率為(wei)10-4歐(ou)姆/□
（3）可(ke)測(ce)量材(cai)料：半(ban)導體(ti)材(cai)料矽鍺棒、塊(kuai)、片、導電薄膜(mo)等
可準確測(ce)量的半(ban)導體(ti)尺(chi)寸：直徑≥20㎜

可(ke)測(ce)量的半(ban)導體(ti)尺(chi)寸：直徑≥8㎜
（4）測(ce)量方式：平(ping)面測(ce)量。
（5）電壓(ya)表(biao)：雙數(shu)字電壓(ya)表，可同(tong)時(shi)觀(guan)察(cha)電(dian)流、電壓變(bian)化(hua)
A.量程(cheng)0~19.999 mV
B.基(ji)本誤差(cha)±(0.004%讀數(shu)+0.01%滿度)
C.靈(ling)敏(min)度(du)：1uV
D輸(shu)入(ru)阻(zu)抗(kang)﹥1000MΩ
E 4 1/2位數(shu)字顯示，0～19999
（6）恒(heng)流源：
A.電流輸出：直流電流0.003～100 mA連續可調(tiao)，有交流電源供給
B.量程(cheng)：10uA，100uA，1 mA，10 mA，100 mA五(wu)檔

 C.恒(heng)流源度：各(ge)檔(dang)均≤±0.05%
（7）四探(tan)針測(ce)試(shi)探頭(tou)
A.探(tan)頭(tou)間距1.59㎜
B.探針機(ji)械(xie)遊率：±0.3%
C.探(tan)針(zhen)直徑0.8㎜
D.探(tan)針材(cai)料：碳化鎢(wu)，探針(zhen)間及探針與(yu)其他分(fen)之間的緣電阻(zu)大(da)於109歐(ou)姆。
（8）測(ce)試(shi)架：（選(xuan)配(pei)）
手動(dong)測(ce)試(shi)架：KDJ-1A 型手動(dong)測(ce)試(shi)架探(tan)頭(tou)上(shang)下(xia)由手動(dong)操作，可以用作斷面(mian)單晶棒(bang)和(he)矽片測(ce)試(shi)，探針(zhen)頭(tou)可(ke)上(shang)下(xia)移動(dong)距(ju)離(li)：120mm，測(ce)試(shi)臺面(mian)200x200(mm)。
（9）度(du)
電(dian)器(qi)度(du)：1-1000歐(ou)姆≤0.3 %
整(zheng)機測(ce)量度：1-100歐(ou)姆·厘米≤3%
（10）電流：220V±10%，50HZ，率消(xiao)耗(hao)﹤35W