手持式(shi)四探(tan)針測(ce)試儀
DP-3型(xing)是運用(yong)四探(tan)針測(ce)量原(yuan)理測(ce)試電阻率(lv)/方(fang)阻的(de)多用(yong)途(tu)綜合(he)測(ce)量儀器(qi)。
儀器(qi)成套(tao)組成(cheng)：由DP-3主機(ji)、選(xuan)配的(de)四探(tan)針探(tan)頭等(deng)二部分(fen)組成(cheng)，也可(ke)加(jia)配測(ce)試臺(tai)。

手持式(shi)四探(tan)針測(ce)試儀型號:DP-3

概(gai)述(shu)
DP-3型手持式(shi)四探(tan)針測(ce)試儀是運用(yong)四探(tan)針測(ce)量原(yuan)理測(ce)試電阻率(lv)/方(fang)阻的(de)多用(yong)途(tu)綜合(he)測(ce)量儀器(qi)。
儀器(qi)成套(tao)組成(cheng)：由DP-3主機(ji)、選(xuan)配的(de)四探(tan)針探(tan)頭等(deng)二部分(fen)組成(cheng)，也可(ke)加(jia)配測(ce)試臺(tai)。
儀器(qi)適用於半導體材(cai)料廠、器(qi)件廠(chang)、科研單位(wei)、院(yuan)校對導(dao)體、半(ban)導(dao)體(ti)、類(lei)半導(dao)體材(cai)料的手(shou)持(chi)式(shi)導電測(ce)試。
基本技(ji)術(shu)參(can)數
1. 測(ce)量範(fan)圍、分(fen)辨率(lv)
電 阻：     0.010 ～ 50.00kΩ,     分(fen)辨率(lv)0.001 ～ 10 Ω
電 阻 率(lv)：     0.010～ 20.00kΩ-cDP， 分(fen)辨率(lv)0.001 ～ 10 Ω-cDP
方(fang)塊(kuai)電阻： 0.050～ 100.00kΩ/□   分(fen)辨率(lv)0.001 ～ 10 Ω/□
2. 可測(ce)材料尺(chi)寸(cun)
手持方(fang)式(shi)不限材料尺(chi)寸(cun)，但加(jia)配測(ce)試臺(tai)則由(you)選(xuan)配測(ce)試臺(tai)決定(ding)如(ru)下(xia)：
直 徑：DPT-A圓(yuan)測(ce)試臺(tai)直接測(ce)試方(fang)式(shi) Φ15～130DPDP。
DPT-C方(fang)測(ce)試臺(tai)直接測(ce)試方(fang)式(shi)180DPDP×180DPDP。
長(高)度(du)：測(ce)試臺(tai)直接測(ce)試方(fang)式(shi) H≤100DPDP。.
測(ce)量方(fang)位(wei): 軸向(xiang)、徑向(xiang)均(jun)可.

量(liang)程(cheng)劃分(fen)及誤(wu)差(cha)

4) 適配器(qi)工(gong)作電源：220V±10％, f=50Hz±4％,P_W≤5W，或電池(chi)供(gong)電

5) 外(wai)形(xing)尺(chi)寸(cun)：W×H×L=10cm×3.6cm×21cm

凈(jing)   重：≤0.3kg