變(bian)溫霍爾(er)效應(ying)實(shi)驗(yan)儀(yi)霍爾(er)效應(ying)的(de)測量(liang)是(shi)開展半導體研究(jiu)的重(zhong)要(yao)方法。本(ben)機(ji)利用計(ji)算(suan)機(ji)的數(shu)據采集和(he)處理(li)在(zai)80K-400K溫度範圍內(nei)對霍爾(er)系數(shu)和(he)電(dian)導率(lv)的聯合測(ce)量(liang)，行(xing)半導體導電(dian)機制(zhi)及(ji)散(san)射(she)機制的研究(jiu)，並可(ke)確(que)定半導體的些(xie)基(ji)本參數(shu)，如導電(dian)類型、載流子(zi)濃(nong)度、遷移(yi)率(lv)、禁(jin)帶寬(kuan)度以(yi)及(ji)雜(za)質電(dian)離能(neng)等(deng)。

餾實(shi)驗(yan)儀(yi)實(shi)驗(yan)目的(de)： 1、熟悉餾單(dan)元操作(zuo)過程的設(she)備(bei)與流程。 2、了(le)解板式(shi)塔結(jie)構與流體力(li)學(xue)性(xing)能(neng)。 3、掌握(wo)餾塔(ta)的(de)操作(zuo)方法(fa)與原(yuan)理(li)。 4、學(xue)習(xi)餾塔(ta)效率(lv)的(de)測定方(fang)法(fa)。

霍爾(er)效應(ying)實(shi)驗(yan)儀(yi)實(shi)驗(yan)內(nei)容： 1、霍爾(er)電(dian)壓(ya)與霍爾(er)電(dian)流的(de)關(guan)系； 2、霍爾(er)電(dian)壓(ya)與勵磁(ci)電(dian)流的(de)關(guan)系； 3、電(dian)磁(ci)鐵(tie)氣隙處(chu)X方(fang)向(xiang)磁(ci)場(chang)強度的分(fen)布(bu)； 4、電(dian)磁(ci)鐵(tie)氣隙處(chu)Y方(fang)向(xiang)磁(ci)場(chang)強度的分(fen)布(bu)； 5、測(ce)量磁(ci)感(gan)應強(qiang)度； 6、測量(liang)電(dian)磁(ci)鐵(tie)鐵(tie)芯的(de)磁(ci)導率(lv)

穩態平(ping)板法(fa)測定熱(re)材(cai)料(liao)導熱(re)系(xi)數(shu)實驗(yan)臺術(shu)參(can)數(shu)：穩態平(ping)板法(fa)是(shi)種(zhong)應(ying)用維(wei)穩(wen)態導熱(re)過(guo)程的基(ji)本原(yuan)理(li)來測定材(cai)料(liao)導熱(re)系(xi)數(shu)的方(fang)法，可(ke)以(yi)用來(lai)行(xing)導熱(re)系(xi)數(shu)的測(ce)定試(shi)驗(yan)，測定材(cai)料(liao)的(de)導熱(re)系(xi)數(shu)及(ji)其與溫度的關(guan)系；可(ke)測(ce)導熱(re)系(xi)數(shu)在(zai)：0.02～400 w/(m.k)的200×200×20何材料(liao)。

光纖光譜(pu)儀(yi)應(ying)用綜合實驗(yan)儀(yi)實(shi)驗(yan)內(nei)容       1、利用反(fan)射光譜(pu)測定印刷(shua)品(pin)顏(yan)色(se)；       2、利(li)用透(tou)射(she)光譜(pu)測定濾(lv)光片透(tou)過(guo)率(lv)；       3、利(li)用等(deng)離(li)子體光譜(pu)測定氣體成分(fen)；       4、利(li)用白(bai)光幹(gan)涉(she)測定薄膜(mo)厚(hou)度測量(liang)。